Transistor IRFZ34N
Mosfet Canal N
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de condução contínua: 26 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 40 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Qg - Carga na porta: 22,7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 68 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon/IR
Configuração: Único
Tempo de queda: 40 ns
Altura: 15,65mm
Comprimento: 10mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 49 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 31 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 7 ns
Largura: 4,4 mm
O IRFZ34N é um transistor MOSFET canal N projetado para aplicações de comutação e controle de potência que exigem boa eficiência e confiabilidade.
Possui baixa resistência dreno-fonte (RDS(on)), o que reduz as perdas por condução e o aquecimento durante a operação, tornando-o adequado para circuitos de fontes chaveadas, conversores DC-DC, inversores, controle de motores, drivers de carga e sistemas automotivos.
O dispositivo apresenta rápida velocidade de chaveamento, boa capacidade de corrente e excelente robustez elétrica, suportando variações de carga e picos transitórios.
Seu encapsulamento TO-220 facilita a dissipação térmica e a montagem em dissipadores de calor, permitindo uso em aplicações de média potência com estabilidade e longa vida útil.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa.
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