Transistor IRFB4227PBF Ir
Mosfet 200V 65A 26mOhm 70nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 65 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 24 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 330 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Transcondutância em avanço - Mín: 49 S
Tempo de queda: 31 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 20 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 33 ns
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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