IRFP1405 Transistor IR

Transistor IRFP1405
IRFP1405PBF Mosfet 55V 160A 5.3mOhm 120nCAC

Especificações.
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 160 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5,3 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 120 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 310 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 160 ns
Subcategoria: MOSFETs

O IRFP1405PBF é um MOSFET de potência de canal N de alto desempenho fabricado pela Infineon Technologies (originalmente desenvolvido pela International Rectifier).     É um componente muito popular, conhecido por sua resistência de ativação extremamente baixa e alta capacidade de lidar com corrente, o que o torna ideal para aplicações exigentes de comutação de energia.
Aqui está um resumo detalhado:

Especificações principais:
Tipo de transistor: MOSFET de potência de canal N
Fabricante: Infineon Technologies (parte de sua família HEXFET® Power MOSFETs)
Tipo de pacote: TO-247AC (um pacote robusto, maior que o TO-220, projetado para maior dissipação de energia e manuseio de corrente, geralmente usado com dissipadores de calor).
Tensão Dreno-Fonte ( Em D SS​ ): 55V (tensão máxima que pode bloquear quando desligado).
Corrente de drenagem contínua ( EU D​ ):
160 A em T C​  =2 5∘C(Silicon Limitada)
110 A emTC​=10 0∘C
95 A emTC​=2 5∘C(Pacote Limitado)
Corrente de dreno pulsada (EUD M​): 640A
Resistência no Estado (RD S ( o n )​): 5,3 mΩ (máximo) emEmGS​=10 V,EUD​=95 A. Essa baixíssima resistência é uma característica fundamental, pois minimiza a perda de potência (como calor) quando o MOSFET está totalmente ligado.
Dissipação de energia (PD​): 310 W emTC​=2 5∘C
Tensão de porta-fonte (EmGS​): ± 20 V(Tensão máxima permitida entre gate e source).
Tensão de limiar de porta (EmGS ( t h )​): 2,0 V a 4,0 V (A tensão na qual o MOSFET começa a ligar).
Taxa total do portão (Pg​): 180 nC (típico emEmGS​=10 V,EmD S​=44V). Este parâmetro é crucial para determinar a velocidade de comutação e a potência de acionamento do gate necessária. 
Temperatura de junção operacional (TJ​): -55°C a +175°C

Características:
Tecnologia de Processo Avançada
Ultra Baixa Resistência
Classificação dv/dt dinâmica (robustez aprimorada contra mudanças rápidas de tensão)
Temperatura de operação de 175°C
Troca rápida
Avalanche repetitiva permitida atéTObrigado .​​(robustez aprimorada)
Sem chumbo ("PBF" indica livre de chumbo)

Aplicações comuns:
A combinação de alta capacidade de corrente, baixíssima resistência e design robusto do IRFP1405PBF o torna adequado para uma ampla gama de aplicações de alta potência e alta eficiência, incluindo:

Aplicações automotivas:
Direção elétrica assistida (EPS)
Controle de motor CC de alta corrente (por exemplo, para veículos elétricos, bombas automotivas, ventiladores)
Sistemas de gerenciamento de bateria (BMS) e circuitos de proteção de bateria.

Fontes de alimentação e conversores CC-CC:
Fontes de alimentação comutadas de alta corrente (SMPS)
Retificação síncrona em fontes de alimentação.
Conversores CC-CC de baixa tensão e alta corrente.

Controle de motores e acionamentos:
Sistemas de acionamento de motores industriais.
Controladores de bicicleta/scooter elétrica.
Robótica.

Sistemas de Energia Renovável:
Inversores solares e controladores de carga.

Amplificadores de áudio:
Amplificadores de áudio Classe D de alta potência.

Comutação geral de alta potência:
Comutação de carga em equipamentos industriais.
Circuitos de proteção.
Gerenciamento de energia em servidores e equipamentos de telecomunicações.
É um componente altamente valorizado em situações em que maximizar a eficiência, minimizar a geração de calor e lidar com energia substancial são considerações críticas de projeto.

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