Transistor IRFBC30 IR
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de condução contínua: 3,6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,2 Ohms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Único
Tempo de queda: 19 ns
Altura: 9,15mm
Comprimento: 10,4 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 14 ns
Série: IRFBC30
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,6 mm
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