Transistor MJE350 ON
Transistor Bipolar de Junção - BJT PNP Média Potência
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: SOT-32-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 300 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 3 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,5 A
Pd - Dissipação de potência: 20,8 W
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJE350
Embalagem: Vareta
hFE máx. de ganho de corrente DC: 240
Altura: 10,8 mm
Comprimento: 7,8 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,7 mm
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 0,5 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 30
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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