Transistor MJE15035G ON Semiconductor — NPN de potência, projetado para aplicações de áudio e fontes de alta tensão, com alta tensão de coletor e excelente ganho de corrente. Ideal para amplificadores e circuitos de potência.
Transistor MJE15035G
Transistor Bipolar de Junção 4A 350V 50W PNP
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 350 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 350 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 30 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJE15035
Embalagem: Vareta
Altura: 15,75 mm
Comprimento: 10,53 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,83 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 4 A
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
O Transistor MJE15035G da ON Semiconductor é um transistor NPN de potência em encapsulamento TO-247, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão e corrente, como amplificadores de áudio de alta fidelidade, fontes de alimentação comutada e circuitos de controle de motores.
Ele oferece alta tensão de coletor-emissor (Vceo de até 350V), corrente de coletor de até 4A, e dissipação de potência máxima de 50W, garantindo desempenho estável e confiável em ambientes exigentes. Seu ganho de corrente (hFE) é consistente, proporcionando baixa distorção e alta eficiência em aplicações lineares e de comutação.
O MJE15035G também apresenta transição rápida e excelente estabilidade térmica, sendo ideal para uso em conjunto com o transistor complementar MJE15034G em configurações push-pull.
Características principais:
Tipo: NPN de potência
Encapsulamento: TO-220
Tensão coletor-emissor (Vceo): 350V
Corrente de coletor (Ic): 4A
Potência dissipada (Ptot): 50W
Frequência de transição (fT): 30MHz
Complementar: MJE15034G (PNP)
Aplicações: amplificadores de áudio, fontes chaveadas, drivers e circuitos de alta tensão.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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