Transistor K12A50D Isolado
Especificações
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 12 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 520 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 25 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 45 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: DTMOSIV
Marca: Toshiba
Configuração: Single
Tempo de queda: 15 ns
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 22 ns
Série: TK12A50D
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 55 ns
Largura: 4,5 mm
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