Transistor IPB107N20N3 = 107N20N Infineon
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
REACH-SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de condução contínua: 88 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 9,6 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 87 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS 3
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 11 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 71 S
Altura: 4,4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 26 ns
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 41 ns
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