Transistor IKW50N60H3 = K50H603
Transistor IGBT de Comutação de Alta Velocidade
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,25 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 100 A
Pd - Dissipação de potência: 333 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: Trenchstop IGBT3
Embalagem: Vareta
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 50 A
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Aliases de núm de peça: IKW5N6H3XK - IKW50N60H3FKSA1
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