IKW50N65H5 = K50EH5 Transistor Infineon

Código: 006736
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Transistor IKW50N65H5 = K50EH5 Infineon

O IKW50N65H5 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) fabricado pela Infineon Technologies . A marcação "K50EH5" costuma ser um código curto ou parte da marcação no próprio dispositivo, indicando o modelo IKW50N65H5. Portanto, quando você vê "IKW50N65H5 = K50EH5 Infineon", significa essencialmente que se referem ao mesmo componente da Infineon.
Este IGBT pertence à tecnologia TRENCHSTOP™ 5 H5 da Infineon , conhecida por suas capacidades de comutação de alta velocidade e excelente eficiência. Ele foi projetado para aplicações que exigem um processamento de energia robusto.

Principais características do IKW50N65H5:
Tipo: IGBT de canal N (Transistor Bipolar de Porta Isolada). Isso significa que é um dispositivo controlado por tensão que combina a alta impedância de entrada de um MOSFET com as baixas perdas de condução de um transistor bipolar.
Pacote: Normalmente TO-247 , um pacote through-hole projetado para aplicações de energia com boa dissipação de calor, muitas vezes exigindo um dissipador de calor.
Tensão Coletor-Emissor (VCE): 650V. Esta alta tensão nominal o torna adequado para conversão de energia de alta tensão.
Corrente de Coletor Contínua (CI): Até 50A (a 100°C de temperatura do gabinete, frequentemente mais alta a 25°C). Isso indica sua significativa capacidade de lidar com corrente.
Corrente de coletor pulsada (ICpuls): Até 150A ou até 200A (para curtas durações), destacando sua robustez para picos de carga.
Dissipação de energia (Ptot): pode dissipar uma quantidade substancial de energia, normalmente em torno de 305W a uma temperatura de gabinete de 25°C.
Diodo Co-empacotado: Uma característica significativa é que ele é co-empacotado com um diodo antiparalelo rápido e suave (RAPID 1) . Este diodo é crucial para muitas topologias de conversão de energia, especialmente em circuitos com cargas indutivas, para lidar com o fluxo de corrente reversa.
Comutação de alta velocidade: projetado com "tecnologia H5" para perdas de comutação ultrabaixas em topologias de comutação rígida e ressonante.
Temperatura máxima de junção (Tvjmax): Até 175°C , proporcionando uma boa margem térmica para aplicações exigentes.
Baixa carga de porta (Qg): Isso contribui para velocidades de comutação mais rápidas e requisitos reduzidos de acionamento de porta.

Aplicações comuns:
Dadas suas capacidades de comutação de alta tensão, alta corrente e alta velocidade, o IKW50N65H5 é amplamente utilizado em:
Fontes de alimentação ininterruptas (UPS): para conversão de energia e backup eficientes.
Conversores solares (inversores): essenciais para converter energia CC de painéis solares em energia CA para a rede ou cargas.
Conversores de soldagem: Em equipamentos de soldagem onde alta potência e controle preciso são necessários.
Conversores de frequência de comutação de médio a alto alcance: em vários circuitos de conversão de energia, incluindo fontes de alimentação comutadas (SMPS) e acionamentos de motores.
Fontes de alimentação industriais: para fornecimento de energia robusto e eficiente em ambientes industriais.

Valor Unitário
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