Transistor IKW30N60T - Infineon
Alta performance e eficiência para seus projetos eletrônicos
O Transistor IKW30N60T da Infineon é a escolha ideal para quem busca um componente de alta qualidade e baixa perda de potência. Com características únicas, como VCE(sat) muito baixo de 1.5V (típico) e temperatura máxima de junção de 175°C, este transistor IGBT de 30A e 600V da Infineon é a solução perfeita para aplicações que exigem durabilidade e robustez.
Diferenciais:
Baixa tensão VCE(sat) de 1.5V (típico)
Temperatura máxima de junção de 175°C
Resistência a curtos-circuitos por até 5μs
Tecnologia TRENCHSTOP™ que garante baixa perda de potência
Embalagem DuoPack TO-247 para fácil instalação
Mais sobre o Produto:
O Transistor IKW30N60T é indicado para diversas aplicações, desde fontes de alimentação até sistemas de controle de motor. Sua alta eficiência e resistência a altas temperaturas garantem um desempenho superior em qualquer projeto eletrônico.
Dicas de Uso:
Para obter o máximo desempenho do Transistor IKW30N60T, certifique-se de seguir corretamente as orientações de instalação e respeitar as condições de operação especificadas pelo fabricante. Utilize-o em conjunto com os componentes adequados para garantir a estabilidade e a confiabilidade do sistema.
Ficha Técnica:
Marca: Infineon
Modelo: IKW30N60T
Tensão: 600V
Corrente: 30A
Encapsulamento: TO-247
Tecnologia: IGBT TRENCHSTOP™
Resistência ao curto-circuito: 5μs
Temperatura máxima de junção: 175°C
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