Transistor 2N2906
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: Philips
Categoria de produto: Transistor bipolar de junção - BJT
Estilo de montagem: ATRAVÉS DO ORIFÍCIO Caixa / Gabinete: TO-18-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: ÚNICO Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 60V Coletor VCBO de voltagem básica: - 60V Emissor - VEBO de tensão de base: - 5V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.6V Pd - Dissipação de potência: 400mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 170MHz
Temperatura operacional mínima: - 65C
Temperatura operacional máxima: + 200C hFE máx. de ganho de corrente DC: 120at - 10mA, - 10V
Altura: 5.33mm
Comprimento: 5.84mm
Tecnologia: Si Largura: 5.84mm
Marca: Philips
Tensão do coletor contínua: - 600mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40at - 10 mA, - 10V
Tipo de Produto: BJTs - TRANSISTOR BIPOLAR
O 2N2906 é um transistor de junção bipolar (BJT) PNP amplamente reconhecido . Embora muitos fabricantes o tenham produzido ao longo dos anos, a Philips (agora NXP Semiconductors para muitos de seus produtos legados) foi um fornecedor proeminente.
Características principais
O 2N2906 é conhecido por sua confiabilidade e é normalmente usado em aplicações de amplificação e comutação de pequenos sinais .
Tipo: Transistor de junção bipolar PNP (BJT)
Embalagem: Lata metálica TO-18 . Trata-se de uma embalagem pequena, hermeticamente fechada, com furo passante, conhecida por sua robustez e boas características térmicas para seu tamanho.
Tensão Coletor-Emissor (EmESSE): Até 40V
Tensão base-coletor (EmCB): Até 60V
Tensão emissor-base (EmEB): Até 5V
Corrente do coletor (EUC): Até 600mA (contínuo)
Dissipação de energia (PD): Normalmente em torno de 400mW a 600mW (a 25°C ambiente)
Ganho de corrente CC (hFE): varia, mas geralmente fica na faixa de 40 a 120 (dependendo da corrente e da variante específica).
Frequência de transição (fT): Cerca de 200MHz a 250MHz, indicando sua capacidade de comutação de alta velocidade.
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