HCNW3120 Circuito Integrado Smd

Circuito Integrado HCNW3120 Smd

O HCNW3120 é um fotocoplador (ou optoacoplador) de alta performance para acionamento de gate de IGBTs e MOSFETs, fabricado pela Broadcom (anteriormente Avago Technologies). O encapsulamento SMD indica que é um componente de montagem em superfície, sendo o DIP-8 largo ou SOP-8 (Wide Body Small Outline Package com 8 pinos) uma opção comum, que oferece maior espaçamento para isolamento.

Como Funciona
Assim como outros fotocopladores, o HCNW3120 cria um isolamento elétrico entre dois circuitos, mas com a capacidade de entregar uma corrente de saída robusta para comutar semicondutores de potência:
Lado de Entrada (LED): Possui um LED infravermelho (geralmente de AlGaAs) que, ao ser energizado, emite luz.
Lado de Saída (Estágio de Potência Integrado): Um circuito integrado com um fotodetector e um estágio de saída de potência é opticamente acoplado ao LED. A luz do LED ativa o estágio de saída, que é capaz de fornecer a corrente necessária para carregar e descarregar rapidamente o gate de um IGBT ou MOSFET.
Isolamento Galvânico: A transmissão do sinal via luz garante um isolamento dielétrico muito alto entre o lado de entrada (circuito de controle de baixa tensão) e o lado de saída (circuito de potência de alta tensão), protegendo o sistema de controle contra ruídos e transientes de alta energia.

Principais Características
Corrente de Saída de Pico Elevada: Oferece uma corrente de saída de pico mínima de 2.0A (e máxima de 2.5A). Essa capacidade é crucial para carregar e descarregar rapidamente a capacitância de gate de IGBTs e MOSFETs de potência, permitindo uma comutação eficiente e com perdas mínimas.
Alta Tensão de Isolamento: Possui uma tensão de isolamento UL reconhecida de até 5000 Vrms (RMS de 1 minuto), fornecendo um alto nível de segurança e robustez para aplicações em ambientes de alta tensão.
Alta Imunidade a Ruído em Modo Comum (CMR): Com um CMR mínimo de 15 kV/µs a 25 kV/µs (VCM = 1500 V), ele é altamente resistente a transientes de ruído elétrico que são comuns em circuitos de potência, prevenindo o falso disparo dos IGBTs/MOSFETs.
Velocidade de Comutação Rápida: Apresenta tempos de propagação de apenas 500ns (máximo), o que o torna ideal para aplicações de comutação em alta frequência.
Faixa de Tensão de Alimentação Ampla: Opera com uma tensão de alimentação (VCC) de 15V a 30V, compatível com os requisitos de polarização de gate da maioria dos IGBTs e MOSFETs.
Proteção UVLO (Under Voltage Lock-Out): Possui um recurso de bloqueio por subtensão com histerese, que desliga a saída quando a tensão de alimentação cai abaixo de um certo nível, garantindo que o IGBT/MOSFET não opere em condições inadequadas.
Encapsulamento SMD (Wide Body DIP-8 / SOP-8): O formato SMD facilita a montagem automatizada em PCBs e o encapsulamento "wide body" proporciona maiores distâncias de escoamento e folga, essenciais para o alto isolamento. 

Aplicações Comuns
O HCNW3120 é um componente-chave em sistemas que exigem controle isolado e de alta velocidade para dispositivos de potência:
Inversores para Controle de Motores (AC e BLDC): Acionamento de IGBTs e MOSFETs em inversores de frequência.
Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS) de Alta Potência: Para isolamento e controle de chaves de potência.
Inversores Solares e Sistemas de Energia Renovável: Isolamento entre o lado DC de alta tensão e o controle.
Fontes de Alimentação Ininterrupta (UPS): Na seção de inversor para controle de semicondutores de potência.
Controladores Industriais e Automação: Onde o isolamento entre o controle e a carga é crítico.
Em resumo, o HCNW3120 SMD é um fotocoplador gate driver robusto e de alta performance, essencial para garantir a segurança, a eficiência e a confiabilidade de sistemas eletrônicos de potência.

Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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