Transistor TIP29C Texas
Especificações
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 700 mV
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Produto fT da largura de banda de ganho: -
Temperatura operacional mínima: -
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP29C
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 1 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 15
hFE máx. de ganho de corrente DC: 75
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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