Transistor STW11NK100Z = W11NK100Z
Mosfet Canal N 1000 Volts 8.3 Amperes
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 8.3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,38 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 113 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 230 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: SuperMESH
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,15 mm
Comprimento: 15,75 mm
Série: STW11NK100Z
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipo: MOSFET
Largura: 5,15 mm
Marca: STMicroelectronics
Transcondutância em avanço - Mín: 9 S
Tempo de queda: 55 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 18 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 98 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 27 ns
O Transistor STW11NK100Z (W11NK100Z) é um MOSFET N-channel de alta tensão projetado para aplicações de comutação rápida e eficiente em circuitos de potência. Com uma tensão de drenagem-fonte de 1000V e corrente máxima de 11A, ele é indicado para fontes chaveadas, inversores, drivers de motor, sistemas de iluminação e equipamentos industriais.
Seu baixo RDS(on) garante menor dissipação de energia, aumentando a eficiência térmica e a confiabilidade do circuito. Fabricado com tecnologia de ponta, o STW11NK100Z oferece alta robustez e resistência a picos de tensão, suportando operações contínuas em ambientes exigentes. É ideal tanto para projetos industriais quanto para aplicações eletrônicas de alto desempenho que requerem estabilidade e durabilidade.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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