Transistor STP110N8F6 = 110N8F6
Mosfet
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 80 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 110 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 6,5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,5 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: STripFET
Configuração: Single
Altura: 15,75 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP110N8F6
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 48 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 61 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 162 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 24 ns
O Transistor STP110N8F6 (110N8F6) é um MOSFET N-Channel de potência projetado para oferecer alta corrente, baixa resistência RDS(on) e rápida comutação, garantindo eficiência em circuitos eletrônicos de média e alta potência.
Com tensão máxima de dreno-fonte de 80V e capacidade de corrente de até 110A, este MOSFET é ideal para fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers de motor e outros sistemas industriais. Sua baixa resistência interna reduz perdas de energia e aquecimento, aumentando a confiabilidade e a durabilidade do equipamento.
O STP110N8F6 combina robustez térmica e desempenho consistente, oferecendo operação estável mesmo sob condições exigentes de carga e temperatura.
Principais aplicações:
Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores e conversores de energia
Drivers de motor e controle industrial
Equipamentos eletrônicos de alta performance
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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