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R$ 58,00
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Transistor R6020ENX
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Especificações:
Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220FM-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de condução contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 170 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 60 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd- Dissipação de potência: 68 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: ROHM Semiconductor
Configuração: Único
Tempo de queda: 67 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 5 S
Altura: 15,4 mm
Comprimento: 10,3 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 53 ns
Série: Super Junction-MOS EN
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 150 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 35 ns
Largura: 4,8 mm
Analise do número da peça: R6020ENXC7G
Especificações Técnicas:
| Parâmetro | Valor típico / máximo | Observações |
|---|---|---|
| Tipo | N‑channel MOSFET de potência | |
| Drive (tensão de gate) | 10 V | “10 V drive type” |
| V_DS (tensão drenador‑fonte, breakdown) | 600 V | |
| I_D contínua de drenador (Tc, temperatura do case) | 20 A | |
| R_DS(on) típico (V_GS = 10 V) | ~ 0,17 Ω | |
| Carga total do gate Q_g | ~ 60 nC | |
| Tempo de recuperação reversa (T_rr) típico | ~ 550 ns | |
| Temperatura de armazenamento | ‑55 °C até +150 °C | |
| Potência máxima de dissipação | ~ 50 W (condição de case) | |
| Encapsulamento / tamanho | TO‑220FM (3 pinos, through‑hole) | |
| Dimensões do pacote | ~ 10,1 × 15,1 mm, espessura (flange) ~ 4,8 mm |
Características e Limitações:
“Super Junction” MOSFET de alta tensão – desenhado para operar em ambientes onde é preciso suportar tensões elevadas.
Baixa resistência “on” relativa para sua classe, mas ainda significativa – isso implica em perdas de condução quando a corrente for alta.
A carga do gate (~60 nC) e tempo de recuperação (T_rr) significam que não é exatamente ultrarrápido; para frequências muito altas isso pode representar limitação de eficiência ou exigência de driver de gate robusto.
Temperaturas de junção/case devem ser bem gerenciadas, pois dissipação de 50 W exige bom dissipador ou bom fluxo de ar.
O limite do gate‑source V_GS geralmente é ±20 V (mas trabalhar sempre dentro da faixa garantida para R_DS(on) ideal) para evitar dano ao gate.
Aplicações Típicas:
Fontes chaveadas (SMPS) de alta tensão:
Inversores ou conversores para motores ou outros atuadores onde haja tensão elevada
Chaves de potência em circuitos com isolamento ou que requeiram suportar picos elevados
Utilização em paralelo possível, mas atenção à igualação de resistências e controle térmico
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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