P80NF55 Transistor St
Transistor P80NF55 St
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de condução contínua: 80 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 189 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Único
Tempo de queda: 65 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 150 S
Altura: 15,75 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 155 ns
Série: STB80NF55, STP80NF55
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 125 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 27 ns
Largura: 4,6 mm
Foto Meramente Ilustrativa
Valor Unitário
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