Transistor P20N60RUFDTU = SGH20N60RUFDTU
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.2 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 32 A
Pd - Dissipação de potência: 195 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: SGH20N60RUFD
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 32 A
Altura: 18,9 mm
Comprimento: 15,8 mm
Largura: 5 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 32 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Aliases de núm de peça: SGH20N60RUFDTU_NL
Foto meramente ilustrativa
valor unitário
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