Transistor P12N60A4D = HGTG12N60A4D
Transistores IGBT
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.1 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 54 A
Pd - Dissipação de potência: 167 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG12N60A4
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 54 A
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 4,82 mm
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 43 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do número da peça: HGTG12N60A4
O Transistor P12N60A4D (HGTG12N60A4D) é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência, robustez e confiabilidade em sistemas de média potência. Com tensão máxima de 600V e corrente de 12A, este componente proporciona excelente desempenho em comutação rápida e operação estável.
Este IGBT apresenta baixa perda de comutação, alta velocidade de operação e eficiência energética, reduzindo aquecimento e aumentando a durabilidade do equipamento. É amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes chaveadas (SMPS), conversores de energia e outros sistemas industriais que demandam desempenho confiável.
Além disso, o P12N60A4D oferece robustez térmica e estabilidade operacional, garantindo funcionamento seguro mesmo sob condições exigentes de carga e temperatura.
Principais aplicações:
Inversores de frequência e motores elétricos
Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores de energia industrial
Equipamentos eletrônicos de média potência
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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