Transistor MRF559
Especificações
Fabricante: Advanced Semiconductor, Inc.
Categoria de produto: Transistores bipolares de rádio frequência (RF)
Tipo de transistor: Potência bipolar
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: NPN
Frequência operacional: 870 MHz
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 30
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 16 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Tensão do coletor contínua: 150 mA
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Configuração: Single
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: M238
Embalagem: Bandeja
Tipo: RF Bipolar Power
Marca: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Tipo de Produto: Transistores Bipolares RF
Subcategoria: Transistores
Foto meramente ilustrativa
Valor Unitário
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