Transistor MJE200 National
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-225-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente do coletor DC máxima: 5 A
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 25 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 8 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,8 V
Pd - Dissipação de potência: 15 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 65 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJE200
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 5 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 70
Altura: 11,04 mm
Comprimento: 7,74 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Largura: 2,66 mm
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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