Transistor MDP1932
Mosfet Canal N 80 Volts 120 Amperes 3,4mΩ
Fabricante: MagnaChip
Transistor MDP1932
O MDP1932 é um transistor MOSFET de canal N fabricado pela MagnaChip Semiconductor, projetado para aplicações que exigem alta corrente e baixa resistência de condução. Com encapsulamento TO-220, é ideal para retificação síncrona em servidores, fontes chaveadas e aplicações industriais.
Especificações Técnicas:
Tipo: MOSFET de canal N, tecnologia Trench
Tensão máxima drain-source (VDS): 80 V
Corrente contínua de dreno (ID): 120 A @ VGS = 10 V
Resistência de condução (RDS(on)): < 3,4 mΩ @ VGS = 10 V
Corrente de pulso (IDM): 480 A
Tensão gate-source (VGS): ±20 V
Dissipação de potência (PD): 209 W @ TC = 25°C
Temperatura de operação: -55°C a +150°C
Encapsulamento: TO-220 (MDP1932TH)
Aplicações Comuns:
Retificação síncrona em fontes chaveadas
Conversores DC-DC de alta corrente
Controle de motores e cargas indutivas
Sistemas de alimentação para servidores e equipamentos industriais
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