IXFN80N50 Transistor Ixys

Código: 007215
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Transistor IXFN80N50
IXFN80N50 SOT-227-4 Mosfet 500 Volts 80 Amperes

Caracteristicas:
Polaridade do transistor: Canal N 
Corrente de Dreno Contínua Id: 80A 
Fonte de dreno Tensão Vds: 500V 
Resistência On Rds (on): 0,055ohm Rds (on) 
Tensão de teste Vgs: 10V 
Tensão do limiar Vgs: 4.5V 
Dissipação de energia Pd: 780W 
Transistor Estilo da caixa: ISOTOP 
Número de pinos: 4Pinos 
Temperatura de operação Max: 150° C 
Gama de produtos: Automotivo

O IXFN80N50 é um modo de aprimoramento de canal N O Power MOSFET apresenta miniBLOC, com isolamento de nitreto de alumínio, baixo processo RDS (on) HDMOSTM, estrutura robusta de célula de polissilício e classificação de comutação indutiva não bloqueada (UIS). 
Retificador intrínseco rápido Alta classificação dv / dt 
Estrutura de célula de portão de polissilício robusto. 
Fácil de montar. 
Economia de espaço. 
Alta densidade de potência. 

Aplicações: 
Gerenciamento de energia, iluminação, acionamento e controle de motores.

Para mais informações, entre em contato.

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