IRG7IC28U = IRG7IC28UPBF Transistor

Transistor IRG71C28U = IRG7IC28UPBF

O IRG7IC28U e o IRG7IC28UPBF são essencialmente o mesmo componente principal: um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies).

A principal diferença está no sufixo:
IRG7IC28U: Isso se refere à versão padrão do componente.
IRG7IC28UPBF: O sufixo "PbF" significa "Lead-Free" (sem chumbo) . Isso indica que o componente está em conformidade com as diretivas RoHS (Restrição de Substâncias Perigosas), ou seja, não contém chumbo acima dos limites especificados em sua construção.
Em termos de características elétricas e desempenho, o IRG7IC28U e o IRG7IC28UPBF são idênticos. A designação "PbF" é puramente um indicador de conformidade ambiental.

Principais recursos do IRG7IC28U / IRG7IC28UPBF:
IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada): Este tipo de transistor combina a alta impedância de entrada de um MOSFET com a baixa queda de tensão no estado ligado e a alta capacidade de corrente de um transistor bipolar.Isso os torna ideais para aplicações de comutação de alta potência e alta tensão.
Tecnologia avançada de IGBT de trincheira: isso indica um processo de fabricação moderno que ajuda a atingir menor queda de tensão no estado ligado (VCE(on)) e menor perda de energia por pulso (EPULSE™), levando a uma maior eficiência.
Otimizado para Painéis de Plasma (PDP): Este é um foco específico de projeto. Esses IGBTs são particularmente adequados para circuitos de "sustentação" e "recuperação de energia" em aplicações PDP, que exigem alta capacidade de corrente de pico repetitiva e comutação eficiente em tensões relativamente altas.
Classificação de Alta Tensão: Normalmente, eles têm uma Tensão Coletor-Emissor (VCE) de 600 V. Isso permite que operem em circuitos conectados a tensões de rede CA retificadas (como 127V ou 220V no Brasil).Alta capacidade de corrente: eles podem lidar com uma corrente de coletor (CI) contínua de cerca de 25A (a uma temperatura de caixa de 25 °C), com uma capacidade de corrente de pico repetitiva (IRP) muito alta para cargas pulsadas (por exemplo, 225A a 25°C).
Baixo VCE(on) (tensão de saturação do coletor-emissor): um VCE(on) típico de cerca de 1,70 V (em IC = 40A, TJ = 25°C) significa baixa dissipação de energia quando o IGBT está totalmente ligado, contribuindo para maior eficiência.
Alta temperatura de junção operacional: classificado para operação em temperaturas de junção de até 150°C , o que indica robustez em ambientes térmicos exigentes.
Pacote TO-220AB ou TO-220 FullPak: São pacotes de energia comuns com furo passante, projetados para dissipação de calor eficaz, geralmente por meio da montagem em um dissipador de calor. A versão FullPak possui uma aba isolante, permitindo a montagem direta em um dissipador de calor sem necessidade de uma almofada isolante, simplificando a montagem e melhorando a transferência térmica.

Aplicações comuns:
Dado seu design para alta potência, alta tensão e comutação rápida, o IRG7IC28U/PBF é amplamente utilizado em:
Painéis de exibição de plasma (PDPs): sua principal aplicação pretendida é usada nas seções de sustentação e recuperação de energia.
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS): Nos estágios de conversão de energia de vários projetos de fontes de alimentação.
Controle de motor: Em inversores para acionamentos de motores CA e sistemas de controle de servomotores.Fontes de alimentação ininterruptas (UPS): para conversão e comutação de energia eficientes.Reatores de iluminação: Especialmente para lâmpadas de descarga de alta intensidade (HID).
Outras aplicações de comutação de alta potência e alta frequência.

Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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