Transistor IRFPG50 Mosfet Canal N 1000 Volts
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 190 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 190 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Série: IRFPG
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 5,4 S
Tempo de queda: 36 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 35 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 130 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 19 ns
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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