Transistor IRFB7537 Ir To-220
IRFB7537PBF
Mosfet Canal N 60 Volts 173 Amperes TO-220AB
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 173 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,75 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3,7 V
Qg - Carga na porta: 142 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 230 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: StrongIRFET
Embalagem: Tubo
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 190 S
Tempo de queda: 84 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 105 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 82 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 15 ns
O IRFB7537PBF é um MOSFET de canal N de potência, projetado para comutação rápida e aplicações de alta eficiência energética.
Ele apresenta baixa resistência de condução (Rds(on)), permitindo menor dissipação de energia e maior eficiência em circuitos de alta corrente.
Este transistor é ideal para fontes chaveadas (SMPS), inversores, controladores de motor, conversores DC-DC e circuitos de potência industrial, onde são exigidas rápidas transições entre os estados de condução e corte.
Seu encapsulamento robusto e confiável garante alta durabilidade térmica e elétrica, tornando-o adequado para ambientes industriais e eletrônicos exigentes.
Principais características:
Tipo: MOSFET N-channel
Modelo: IRFB7537PBF
Baixa resistência de condução (Rds(on))
Alta capacidade de corrente
Comutação rápida
Encapsulamento resistente a altas temperaturas
Ideal para fontes chaveadas, inversores e conversores de potência
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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