Transistor IRFB5620PBF
Mosfet Canal N 200 Volts Novo e Original Infineon
Especificações:
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 25 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 72,5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 25 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 144 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 37 S
Tempo de queda: 9,9 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 14,6 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 17,1 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 8,6 ns
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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