Transistor IRF630N
Mosfet 200 Volts 9.5 Amperes 300mOhm 23.3nC
Especificações:
Fabricante: Infineon / IR
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: Canal 1
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.3 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 300 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 23.3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 82 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 Canal N
Largura: 4.4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 4.9 S
Tempo de queda: 15 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 14 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 27 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 7.9 ns
Analise do número da peça: IRF630NPBF
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
Para mais informações, entre em contato.
Produtos relacionados
Localizados na Rua Vitória, 119 - Santa Ifigênia - São Paulo - SP, CEP 01210-001. Temos a maior variedade de componentes eletrônicos de qualidade para seu projeto, curso, reparo ou manutenção você encontra na Mercado Comp. Mais de 12.000 itens em estoque, produtos originais! Temos tudo que você precisa para Arduino. Entrega rápida em todo o Brasil, confira.
Ponto da Eletrônica - CNPJ: 05.701.783/0001-54 © Todos os direitos reservados. 2025
