IRF3205PBF Transistor To-220

IRF3205PBF To-220 Infineon
Mosfet 55V 98A 8mOhm 97.3nC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 110 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 8 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 97,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
http://www.infineon.com/dgdl/irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a

O IRF3205PBF é um MOSFET de potência de canal N muito popular e amplamente utilizado , fabricado principalmente pela Infineon Technologies (que adquiriu a International Rectifier, a desenvolvedora original da tecnologia HEXFET®).
Ele é conhecido por sua resistência extremamente baixa, alta capacidade de corrente e design robusto, o que o torna adequado para uma ampla gama de aplicações de energia exigentes.

Aqui está uma análise detalhada:

Especificações principais:
Tipo de transistor: MOSFET de potência de canal N
Fabricante: Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier)
Tecnologia: HEXFET® Power MOSFETs (otimizados para baixa resistência, comutação rápida e alta confiabilidade).
Tipo de pacote: TO-220AB (um pacote comum do tipo through-hole, adequado para aplicações de alta potência que exigem dissipador de calor externo).
Tensão Dreno-Fonte ( Em D S​ ): 55 V (Esta é a voltagem máxima que ele pode bloquear quando desligado).
Corrente de drenagem contínua ( EU D​ ):
110 A em T C​  =  2 5 ∘C
80 A em T C​  =  10 0 ∘C
Corrente de dreno pulsada (EUD M​): 390 A (Esta é a corrente máxima que ele pode suportar em pulsos curtos).
Resistência no Estado (RD S ( o n )​): 8 mΩ (típico) emEmGS​=10 V,EUD​=62 A. Essa resistência muito baixa significa perda mínima de potência quando o transistor é ligado, resultando em alta eficiência.
Dissipação de energia (PD​): 200 W emTC​=2 5∘C
Tensão de porta-fonte (EmGS​): ± 20 V(Tensão máxima permitida entre gate e source).
Tensão de limiar de porta (EmGS ( t h )​): 2,0 V a 4,0 V (Esta é a tensão necessária no gate para começar a ligar o MOSFET).
Taxa total do portão (Pg​): 146 nC (típico emEmGS​=10 V,EmD S​=44V). Isso indica quanta carga é necessária para ligar completamente o MOSFET, o que influencia a velocidade de comutação.
Temperatura de junção operacional (TJ​): -55°C a +175°C

Características:
Ultra Baixa Resistência
Dinâmicod v / d tClassificação (robustez contra mudanças rápidas de tensão)
Temperatura de operação de 175°C
Troca rápida
Totalmente classificado para avalanches (resiliente à quebra sob certas condições de alta tensão)
Sem chumbo ("PBF" no número da peça indica livre de chumbo).

Aplicações comuns:
Dado seu impressionante manuseio de corrente e baixa resistência, o IRF3205PBF é amplamente utilizado em aplicações de alta potência e alta eficiência, incluindo:
Aplicações automotivas: controle de motor (por exemplo, direção elétrica, elevadores de janelas), conversores CC-CC, proteção de bateria.
Fontes de alimentação: fontes de alimentação comutadas de alta corrente (SMPS), conversores CC-CC, gerenciamento de energia.
Controle de motor: drivers de motor CC com e sem escovas, controle de motor industrial, robótica.
Sistemas alimentados por bateria: sistemas de gerenciamento de bateria, inversores de alta potência para backup de bateria, controladores de bicicletas elétricas.
Amplificadores de áudio: amplificadores de áudio classe D.
Energia renovável: inversores solares.
Comutação de carga: comutação de carga de alta corrente em vários eletrônicos industriais e de consumo.

O IRF3205PBF é um componente essencial para engenheiros que projetam circuitos eletrônicos de potência robustos e eficientes.

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