Transistor IRF2807
IRF2807PBF TO-220 Mosfet 75 Volts 82 Amperes 13mOhm 106,7nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 75 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 82 A Rds
On - Fonte de drenagem na resistência: 13 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 106,7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
O IRF2807PBF é um MOSFET de potência de canal N muito popular e robusto, fabricado pela Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier). Faz parte da família de MOSFETs de potência HEXFET® , conhecidos por apresentar resistência de ativação extremamente baixa.
Aqui está um resumo de suas principais características e aplicações:
Especificações principais:
Tipo de transistor: MOSFET de canal N (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)
Fabricante: Infineon Technologies
Tecnologia: MOSFETs de potência HEXFET® (conhecidos por baixa resistência, comutação rápida e design robusto)
Tipo de pacote: TO-220AB (um pacote comum de furo passante para aplicações de energia, adequado para dissipação de energia de até aproximadamente 50 watts)
Tensão dreno-fonte (Vds): 75V
Corrente de dreno contínua (Id): * 82A emTC=2 5∘C 58A emTC=10 0∘C
Corrente de dreno pulsada (Idm): 280A
Resistência no estado ligado (Rds(on)): 13 mΩ (emEmGS=10 V,EUD=43 A) - Este é um valor muito baixo, indicando operação eficiente com perda mínima de energia.
Dissipação de energia (Pd): 230W (aTC=2 5∘C)
Tensão de porta-fonte (Vgs): ± 20V
Tensão de limiar de porta (Vgs(th)): 2,0 V a 4,0 V (emEmD S=EmGS,EUD=250 m A)
Faixa de temperatura operacional: -55°C a +175°C (temperatura de junção)
Carga de porta (Qg): 160 nC (típico emEUD=43 A,EmD S=60 V,EmGS=10 V)
Características: Classificação dv/dt dinâmica, temperatura operacional de 175 °C, comutação rápida, classificação totalmente resistente a avalanches, sem chumbo.
Aplicações:
O IRF2807PBF é um MOSFET de potência versátil, adequado para uma ampla gama de aplicações de alta corrente, alta potência e alta eficiência, devido à sua baixa resistência e design robusto. Aplicações comuns incluem:
Sistemas de gerenciamento de energia:
Conversores DC-DC
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Sistemas de gerenciamento de bateria
Controle de motores e acionamentos:
Sistemas de acionamento de motores industriais
Veículos elétricos (VEs)
Iluminação:
Drivers de LED de alta potência
Equipamentos alimentados por bateria:
Circuitos de proteção de bateria
Sistemas de Energia Renovável:
Inversores solares
Conversores de energia de turbinas eólicas.
Aplicações industriais gerais:
Comutadores de alta potência.
Atuadores.
Equipamentos de teste (por exemplo, bancos de carga, geradores de pulso)
Interruptores de carga.
É uma escolha popular para designers que buscam um dispositivo de comutação de energia eficiente e confiável em vários ambientes comerciais e industriais.
Para mais informações, entre em contato.
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