ransistor IPB180N10S4-03 = AUIRFS4010-7P = 4N1003 Smd To-263-7
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-7
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 180 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3,3 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite de porta e fonte: 2,7 V
Qg - Carga na porta: 140 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: Enhancement
Qualificação: AEC-Q101
Embalagem: Fita Cortada
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Individual
Tempo de queda: 45 ns
Altura: 4,4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 10 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 40 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 20 ns
Largura: 9,25 mm
Analise do número da peça: IPB180N10S4-03
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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