Transistor GW80H65DFB St
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: IGBTs
Tecnologia: Si
Caixa/Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,6 V
Tensão do emissor do portão máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 120 A
Pd - Dissipação de potência: 469 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: STGW80H65DFB
Marca: STMicroelectronics
Eu máx. de corrente do coletor contínuo: 80 A
Corrente de dispersão do portão - emissor: 250 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Imagem Meramente Ilustrativa
Valor Unitário
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