Transistor IRFI4019HG-117P
Mosfet Canal N 150 Volts 8.7 Amperes 5 Pinos
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8,7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4,9 V
Qg - Carga na porta: 13 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 18 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon/IR
Configuração: Dual
Tempo de queda: 3,1 ns
Altura: 15,65 milímetros
Distanciamento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 6,6 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tempo de retardo do desligamento típico: 13 ns
Tempo típico de 7 retardo : ns
Largura: 4,4 mm
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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