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Transistor FGA50N100BNTD2
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3PN
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1000 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 25 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 50 A
Pd - Dissipação de potência: 156 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: FGA50N100BNTD2
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Corrente de dispersão do gate - emissor: 500 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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