Transistor D45H11 = MJD45H11TF
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 5 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: - 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 8 A
Pd - Dissipação de potência: 20 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJD45H11
hFE máx. de ganho de corrente DC: 60
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,6 mm
Tecnologia: Si
Largura: 6,1 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: - 8 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 40
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Aliases de núm de peça: MJD45H11TF_NL
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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