Transistor BF245C
Transistor Canal N
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: JFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92
Polaridade do transistor: Canal N
Configuração: Sozinho
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: - 30 V
Corrente da fonte de drenagem a Vgs = 0: 500 mA
Pd - Dissipação de potência: 350 mW
Série: BF245C
Embalagem: Granel
Tipo: JFET
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 0,003 S a 0,0065 S
Tipo de Produto: JFETs
Subcategoria: Transistores
Analise do número da peça: BF245C
O BF245C é um popular Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET) de canal N , comumente usado em diversos circuitos eletrônicos. Faz parte de uma família que inclui o BF245A e o BF245B, com a versão "C" geralmente apresentando características elétricas ligeiramente diferentes, particularmente relacionadas à sua corrente de dreno (IDSS).
O que é um JFET?
Um JFET é um tipo de transistor de efeito de campo que opera controlando o fluxo de corrente através de um canal semicondutor usando uma tensão aplicada a um terminal de "gate". Ao contrário dos Transistores de Junção Bipolar (BJTs), os JFETs são dispositivos controlados por tensão , o que significa que não requerem uma corrente de polarização no gate. Eles são conhecidos por sua alta impedância de entrada , o que os torna ideais para determinadas aplicações de amplificadores.
Principais características dos JFETs:
Controlado por tensão: a corrente que flui entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada ao gate.
Modo de Depleção: Os JFETs são inerentemente "ligados" (conduzindo) quando não há tensão aplicada à porta. Uma tensão de polarização reversa na porta cria uma "região de depleção" que restringe ou "comprime" o fluxo de corrente.
Alta impedância de entrada: esta é uma das suas vantagens mais significativas, pois consomem muito pouca corrente do sinal de entrada, o que os torna adequados para circuitos sensíveis.
Baixo ruído: eles geralmente apresentam números de ruído mais baixos em comparação a outros tipos de transistores, especialmente em aplicações de baixa frequência.
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