Transistor BD137
Transistor Bipolar de Junção
Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-225-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 1,5 A
Pd - Dissipação de potência: 1,25 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 11,04 mm
Comprimento: 7,74 mm
Tecnologia: Si
Largura: 2,66 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 1,5 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Foto meramente ilustrativo
Valor unitário
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