Transistor BC635
Transistor Bipolar de Junção NPN
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: ÚNICO
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45V
Coletor VCBO de voltagem básica: 45V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5V
Corrente do coletor DC máxima: 1A Pd
Dissipação de potência: 1W
Produto fT da largura de banda de ganho: 100MHz
Temperatura operacional máxima: + 150°C
Série: BC635 hFE máx. de ganho de corrente DC: 250
Altura: 4,95mm
Comprimento: 4,95mm
Tecnologia: Si
Largura: 3,94mm
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 1A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 25
Tipo de Produto: BJTs - Transistor Bipolar
Subcategoria: Transistor
Transistor BC635 é um transistor bipolar de junção (BJT) NPN de silício, projetado para aplicações de chaveamento (switching) e amplificação. Ele faz parte de uma família de transistores (BC635/637/639 NPN e seus complementares PNP BC636/638/640) e é fabricado por diversas empresas, como ON Semiconductor (anteriormente Fairchild) e NXP Semiconductors (anteriormente Philips).
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