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R$ 750,00
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Transistor APT40N60JCU2
Módulos MOSFET PM-MOSFET-COOLMOS-SOT-227
Módulos MOSFET PM-MOSFET-COOLMOS-SOT-227
Especificações:
Fabricante: Microchip
Categoria do produto: Módulos MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Montagem de parafuso
Pacote/Caixa: SOT-227-4
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 600 V
Id - Corrente de Dreno Contínua: 40 A
Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 70 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão de limites de porta-fonte: 2,1 V
Temperatura mínima de operação: - 55°C
Temperatura máxima de operação: + 150 °C
Pd - Dissipação de Potência: 290 W
Embalagem: Vareta
Marca: Tecnologia de microchip
Configuração: Solteiro
Tempo de outono: 10 ns
Altura: 9,6 milímetros
Comprimento: 38,2 milímetros
Tipo de produto: Módulos MOSFET
Tempo de subida: 30 ns
Subcategoria: Módulos discretos e de potência
Nome comercial: ISOTOP
Tempo típico de atraso de desligamento: 115 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 20 ns
Largura: 25,4 milímetros
O Transistor APT40N60JCU2 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) N-channel desenvolvido para aplicações de alta potência e eficiência. Com tensão de coletor-emissor de 600V e capacidade de corrente de 40A, ele é ideal para uso em inversores, fontes chaveadas, controladores de motores, UPS (no-breaks) e sistemas industriais de eletrônica de potência.
Este IGBT oferece rápida velocidade de comutação, baixo nível de perdas e excelente desempenho térmico, garantindo maior eficiência energética e confiabilidade em operações contínuas. Seu encapsulamento robusto proporciona durabilidade e resistência em ambientes exigentes.
Fabricado pela Microsemi / Advanced Power Technology (APT), o APT40N60JCU2 é amplamente utilizado em projetos que demandam robustez, estabilidade e longa vida útil, sendo uma escolha confiável para aplicações industriais e de automação.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
Para mais informações, entre em contato.
O Transistor APT40N60JCU2 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) N-channel desenvolvido para aplicações de alta potência e eficiência. Com tensão de coletor-emissor de 600V e capacidade de corrente de 40A, ele é ideal para uso em inversores, fontes chaveadas, controladores de motores, UPS (no-breaks) e sistemas industriais de eletrônica de potência.
Este IGBT oferece rápida velocidade de comutação, baixo nível de perdas e excelente desempenho térmico, garantindo maior eficiência energética e confiabilidade em operações contínuas. Seu encapsulamento robusto proporciona durabilidade e resistência em ambientes exigentes.
Fabricado pela Microsemi / Advanced Power Technology (APT), o APT40N60JCU2 é amplamente utilizado em projetos que demandam robustez, estabilidade e longa vida útil, sendo uma escolha confiável para aplicações industriais e de automação.
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