Transistor 2SK2562
Especificações:
Designador de tipo: 2SK2562-01R
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de controle Canal: N - Canal
Pd - Dissipação máxima de potência: 80 W
Vds - Tensão máxima de dreno-fonte: 800 V
Vgs-Tensão máxima de porta-fonte: 30 V
Vgs(th) - Tensão máxima de porta-limiar: 5 V
Id - Corrente máxima de dreno: 7 A
Tj - Temperatura máxima de junção: 150 °C
tr - Tempo de subida: 110 nS
Coss - Capacitância de saída: 140 pF
Rds - Resistência máxima de dreno-fonte no estado ligado: 2,2 Ohm
Encapsulamento: TO3PF
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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