Transistor 2SB778
Designador de tipo: 2SB778
Material do transistor: Si
Polaridade: PNP
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 80 W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 120 V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 120 V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5 V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 10 A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 150 ° C
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 60
Figura de ruído, dB: -
Pacote: TO218
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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