2SB1197 Transistor

Transistor 2SB1197
Transistor Bipolar de Junção

Especificações:
Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SC-59-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 32 V
Coletor VCBO de voltagem básica: - 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0,8 A
Pd - Dissipação de potência: 200 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SB1197
hFE máx. de ganho de corrente DC: 390
Tecnologia: Si
Marca: ROHM Semiconductor
Tensão do coletor contínua: - 0,8 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 120
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

O 2SB1197 é um transistor planar epitaxial de silício PNP . É um transistor de uso geral amplamente utilizado, frequentemente encontrado em aplicações menores de amplificação e comutação de sinais.
Aqui está uma análise de suas principais características:

Principais recursos e funcionalidades
Transistor PNP: significa que a corrente flui do emissor para o coletor quando a base está polarizada negativamente em relação ao emissor. É o tipo complementar aos transistores NPN.
Planar Epitaxial de Silício: Isso descreve o processo de fabricação, resultando em um transistor robusto e confiável.
Baixa Tensão de Saturação Coletor-Emissor: Esta é uma característica importante para aplicações de comutação, pois significa que o transistor pode conduzir com uma queda de tensão muito pequena entre o coletor e o emissor quando totalmente "ligado". Isso minimiza a perda de potência no próprio transistor.
Driver de Média Potência / Chave de Pequeno Sinal: Embora seja um transistor de uso geral, suas especificações indicam que é adequado para alimentar cargas moderadas ou atuar como chave em circuitos de baixa potência. Possui uma corrente de coletor contínua (Ic) tipicamente de até -800mA (0,8A) e uma tensão coletor-emissor (Vceo) de cerca de -32V.
Alto hFE (ganho de corrente CC): O hFE (também conhecido como Beta,b) indica o ganho de corrente fornecido pelo transistor. Para o 2SB1197, a faixa de hFE é tipicamente bastante boa, frequentemente de 82a 390Ω , dependendo da classificação específica (P, Q, R) e das condições de operação. Um hFE mais alto significa que menos corrente de base é necessária para controlar uma corrente de coletor maior.
Complementar ao 2SD1781: Isso significa que o 2SD1781 é um transistor NPN com características elétricas semelhantes, permitindo que os projetistas criem estágios de amplificador push-pull ou circuitos de comutação complementares.
Pacote: O 2SB1197 está comumente disponível em um pacote de montagem em superfície SOT-23 . Este pequeno formato é ideal para PCBs de alta densidade e dispositivos eletrônicos compactos.

Aplicações comuns
Dadas as suas características, o 2SB1197 é frequentemente utilizado em:
Aplicações de Comutação: Ligar/desligar LEDs, pequenos relés, buzzers ou outras cargas. Sua baixa tensão de saturação o torna eficiente para essa finalidade.
Circuitos Driver: Acionam a base de transistores de potência maiores, como um estágio intermediário na amplificação de potência.
Amplificadores de baixa frequência: Em circuitos de amplificação de áudio ou outras aplicações de condicionamento de sinal onde pequenos sinais precisam ser amplificados.
Conversores CC/CC: Como um interruptor em circuitos de conversão de energia.
Circuitos de pequenos sinais de uso geral: em qualquer lugar que exija um transistor PNP com classificações moderadas de corrente e tensão.

Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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