Transistor 2SA715
Caracteristicas:
Designador de tipo: 2SA715
Material do transistor: Si Polaridade: PNP
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 10W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 35V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 35V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 2,5A Máx.
Temperatura de operação da junção (Tj): 150°C
Frequência de transição (ft): 160MHz
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 60
Figura de ruído, dB:
Pacote: TO-126
2SA715 é um transistor planar epitaxial de silício PNP projetado para aplicações de amplificadores de potência de baixa frequência . É frequentemente usado como parte de um par complementar com o 2SC1162 (um transistor NPN), comum em estágios de saída de amplificadores de áudio.
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