Transistor 11N50I = AP11N50I Isolado
Mosfet 500 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: AP
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 11 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 550 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 55 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 48 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: QFET
Embalagem: Tubo
Marca: AP
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 75 ns
Altura: 16,07 milímetros
Largura: 10,36 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 70 ns
Série: FQPF11N50CF
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo do desligamento típico: 120 toneladas
Tempo típico de 24 ns
Largura: 4,9 mm
Apelidos de número de peça: AP11N50I
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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