Transistor IGQ75N120S7XKSA1 = G75MS7
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: IGBTs
Tecnologia: Si
Caixa/Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 1,2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,65 V
Tensão do emissor do portão máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 154 A
Pd - Dissipação de potência: 630 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: IGBT7 S7
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do portão - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Aliases do número da peça: IGQ75N120S7 SP005732720
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