FDS6680AS SMD Circuito Integrado
Especificações
Atributo de produto Valor do atributo Procurar similar
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 11.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 30 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2.5 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: PowerTrench SyncFET
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: MouseReel
Embalagem: Reel
Configuração: Single
Altura: 1.75 mm
Comprimento: 4.9 mm
Série: FDS6680AS
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 3.9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tempo de queda: 11 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 5 ns, 12 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 27 ns, 18 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 9 ns, 11 ns
Analise do número da peça: FDS6680AS_NL
Peso unitário: 130 mg
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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