Circuito Integrado FDS4435BZ Smd
Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8.8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 16 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 40 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2,5 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: PowerTrench
Configuração: Single
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Série: FDS4435BZ
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Largura: 3,9 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 24 S
Tempo de queda: 38 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 13 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 2500
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 68 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 12 ns
Aliases de núm de peça: FDS4435BZ_NL
Foto meramente ilustrativa
Valor unitário
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