Transistor 2N2219A Metálico St
Fabricante: Microchip
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-39-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente do coletor DC máxima: 800 mA
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 300 mV
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Embalagem: A granel
Marca: Tecnologia de Microchip
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 75 a 1 mA, 10 VDC
hFE máx. ganho de corrente DC: 325 a 1 mA, 10 VDC
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Foto Meramente Ilustrativa
Valor Unitário
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